（首尔彭博电）美国出口管制将改变半导体供应链的形势，韩国接下来将扩大在全球记忆晶片市场的主导地位。

市场研究机构集邦咨询（TrendForce）预计，在经历了数年的持平后，韩国在全球记忆体（DRAM）晶片产量的份额可能会在2023年攀升至64%。与此同时，中国长达数年的增长势头则会出现逆转，所占市场份额将下降至14%。

韩国三星电子、海力士（SK Hynix）及美光（Micron）在全球存储市场占主导地位，但近年来中国竞争对手如长江存储科技和长鑫存储技术，都在快速扩大产能。

中国这几年的市场份额一直在增长，但美国去年宣布实施广泛的管制措施，让中国半导体制造商在获得器材和扩充生产方面变得更加困难。

海力士有约一半的DRAM晶片在中国生产；分析认为，到了2030年，由于扩大产能的计划因美国管制受阻，这一份额可能下降至40%左右。 虽然北京正在向记忆晶片领域投入大量资金，但中国要用自己的设备制造先进的DRAM，估计仍需五到10年的时间。

韩国还将提升生产快闪存储器（NAND），但这可能需要更长的时间来实现。集邦咨询说，韩国在NAND的市场份额或降至33%，到2025年将回升至43%；据预测，中国的份额去年急剧上升，但预计在2023年达到31%的峰值后下降。